지우지 자동화
신에너지 자동차의 "심장"은 얼마나 강력할까? 지우주가 제조에서 답을 제시합니다
829다극 구조는 고주파 기본파를 가져오며, 만 회전 시 기본 주파수는 수천 헤르츠에 이른다. 전통적인 IGBT는 스위칭 손실이 급증하고 발열이 심각한 반면, 탄화규소(SiC) MOSFET의 메가헤르츠급 스위칭 능력이 고주파 다극 축방향 자속 모터에 알맞은 파트너다.
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다극 구조는 고주파 기본파를 가져오며, 만 회전 시 기본 주파수는 수천 헤르츠에 이른다. 전통적인 IGBT는 스위칭 손실이 급증하고 발열이 심각한 반면, 탄화규소(SiC) MOSFET의 메가헤르츠급 스위칭 능력이 고주파 다극 축방향 자속 모터에 알맞은 파트너다.
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다극 구조는 고주파 기본파를 가져오며, 만 회전 시 기본 주파수는 수천 헤르츠에 이른다. 전통적인 IGBT는 스위칭 손실이 급증하고 발열이 심각한 반면, 탄화규소(SiC) MOSFET의 메가헤르츠급 스위칭 능력이 고주파 다극 축방향 자속 모터에 알맞은 파트너다.
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