以时光为名，赴一场欢聚｜久巨 7‑9 月员工集体生日会温情启幕

2026.09.24 1187

다극 구조는 고주파 기본파를 가져오며, 만 회전 시 기본 주파수는 수천 헤르츠에 이른다. 전통적인 IGBT는 스위칭 손실이 급증하고 발열이 심각한 반면, 탄화규소(SiC) MOSFET의 메가헤르츠급 스위칭 능력이 고주파 다극 축방향 자속 모터에 알맞은 파트너다.

전체 텍스트 보기