Jiuju Automation
轴向磁通电机想上新能源重卡，为什么卡在合装这几丝上？
452轴向磁通电机体积小、功率密度高，但定转子合装受强磁吸力制约，气隙均匀度与磁钢定位决定批量一致性。量产拼的不是设计，是装配过程能否被固定住。
Посмотреть полный текст
轴向磁通电机体积小、功率密度高，但定转子合装受强磁吸力制约，气隙均匀度与磁钢定位决定批量一致性。量产拼的不是设计，是装配过程能否被固定住。
Посмотреть полный текст
轴向磁通电机磁力线平行于转轴，定子被双层转子夹住，同功率下体积与重量约减半。它的量产难点集中在磁钢耐温与定转子合装，制造一致性直接决定良率与节拍。
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
轴向磁场电机也常被称为轴向磁通电机，是当前电驱领域关注度较高的技术方向，在汽车驱动、低空经济、工业机器人关节等场景均有应用探索。
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Многополюсная архитектура даёт высокочастотную основную гармонику; при 10 000 об/мин основная частота достигает нескольких кГц. Традиционные IGBT имеют взлетающие потери переключения и сильный нагрев — именно МГц-возможность переключения SiC MOSFET делает их подходящей парой высокочастотным многополюсным осевым двигателям.
Посмотреть полный текст
Chinese Chinese
English
Spanish
French
German
Arabic
Russian
Hindi
Korean
Thai
Vietnamese