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轴向磁通电机的轴向拉力，靠推力轴承和预紧来接住
859多极架构带来高频基波，万转下基频可达数千赫兹。传统IGBT开关损耗飙升、发热严重，碳化硅MOSFET的兆赫级开关能力才是高频多极轴向磁通电机的适配拍档。
और पढ़ें轴向磁通电机想发力，为什么离不开碳化硅逆变器？
轴向磁通电机为了在有限体积里榨出更大扭矩，往往做成多极架构，十六极、二十极都不稀奇。极数一多，问题就来了：电机上万转时，驱动它的交流电基频能冲到几千赫兹。
基频高，意味着逆变器要以极快的速度反复开关。传统IGBT在如此高的开关频率下，开关损耗急剧上升，发热严重，效率一路往下掉，根本扛不住。这也是为什么很多轴向磁通电机的方案，一开始就把碳化硅逆变器列为标配。
碳化硅MOSFET的优势正在这里——开关速度能到兆赫兹级，开关损耗又极低，天生适合驱动高频多极的电机。可以说，碳化硅器件的成熟，本身就是轴向磁通走向量产的一块关键拼图。换个角度看，也正是轴向磁通这种高频多极的需求，反过来推动了碳化硅器件在车规市场的快速落地，两者互相成就。
反过来看，没有碳化硅，轴向磁通的多极优势就发挥不出来，高基频反而成了负担。硬拿IGBT去带，不是发热就是掉效率，得不偿失。所以看方案时，往往不是单看电机本体，而是把电机和逆变器当成一对搭档来选，性能要匹配得上。久巨在观察这类方案落地时，也注意到一个趋势：电机和电控不再是各做各的，很多客户会把高频多极电机和碳化硅逆变器放在一起做系统匹配。电驱的竞争，正在从单点性能，转向”电机+电控”的整体协同。
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