โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
Chinese Chinese
English
Spanish
French
German
Arabic
Russian
Hindi
Korean
Thai
Vietnamese
จิ่วจูออโตเมชั่น