รวมพลังอุตสาหกรรม ส่งเสริมการพัฒนาร่วมกัน | จิ่วจวี้เข้าร่วมการประชุมใหญ่ผู้แทนสมาชิกสหพันธ์อุตสาหกรรมเซินเจิ้น ครั้งที่ 6 สมัยที่ 4

07/09/2026 822

โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง

อ่านเพิ่มเติม