金秋月满话产业｜久巨参与深圳市音响行业协会中秋会员联谊会

23/09/2026 1098

โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง

อ่านเพิ่มเติม