以时光为名，赴一场欢聚｜久巨 7‑9 月员工集体生日会温情启幕

24/09/2026 1195

โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง

อ่านเพิ่มเติม