จิ่วจูออโตเมชั่น
轴向磁通电机想上新能源重卡，为什么卡在合装这几丝上？
461轴向磁通电机体积小、功率密度高，但定转子合装受强磁吸力制约，气隙均匀度与磁钢定位决定批量一致性。量产拼的不是设计，是装配过程能否被固定住。
อ่านเพิ่มเติม
轴向磁通电机体积小、功率密度高，但定转子合装受强磁吸力制约，气隙均匀度与磁钢定位决定批量一致性。量产拼的不是设计，是装配过程能否被固定住。
อ่านเพิ่มเติม
轴向磁通电机磁力线平行于转轴，定子被双层转子夹住，同功率下体积与重量约减半。它的量产难点集中在磁钢耐温与定转子合装，制造一致性直接决定良率与节拍。
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
轴向磁场电机也常被称为轴向磁通电机，是当前电驱领域关注度较高的技术方向，在汽车驱动、低空经济、工业机器人关节等场景均有应用探索。
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
โครงสร้างหลายขั้วให้ความถี่พื้นฐานสูง ที่รอบหมุนหลายหมื่นรอบความถี่พื้นฐานอาจสูงถึงหลายพันเฮิรตซ์ IGBT แบบดั้งเดิมมีค่าสูญเสียการสวิตช์พุ่งสูงและร้อนจัด ขณะที่ความสามารถสวิตช์ระดับเมกะเฮิรตซ์ของ MOSFET ซิลิคอนคาร์ไบด์ต่างหากที่เป็นคู่หูที่เหมาะสมกับมอเตอร์ฟลักซ์ตามแนวแกนหลายขั้วความถี่สูง
อ่านเพิ่มเติม
Chinese Chinese
English
Spanish
French
German
Arabic
Russian
Hindi
Korean
Thai
Vietnamese